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Les configurations de circuit FET sont les formats de source commune, de porte commune et de drain commun. Chacun a ses propres caractéristiques de gain de tension et de courant ainsi que d'impédance d'entrée et de sortie.
Le choix de la configuration ou de la topologie du circuit FET est l'un des principaux paramètres de conception sur lesquels repose la conception globale du circuit.
Principes de base de la configuration FET
La terminologie utilisée pour désigner les trois configurations FET de base indique l'électrode FET qui est commune aux circuits d'entrée et de sortie. Cela donne naissance aux trois termes: porte commune, drain commun et source commune.
Les trois configurations de circuit FET différentes sont:
Tableau récapitulatif de la configuration du circuit FET
Le tableau ci-dessous résume les principales propriétés des différentes configurations de circuit FET.
| Tableau récapitulatif de la configuration FET | |||
|---|---|---|---|
| Configuration FET | Porte commune | Drain commun (Suiveur de la source) | Source commune |
| Gain de tension | Haute | Faible | Moyen |
| Gain courant | Faible | Haute | Moyen |
| Gain de puissance | Faible | Moyen | Haute |
| Résistance d'entrée | Faible | Haute | Moyen |
| Résistance de sortie | Haute | Faible | Moyen |
| Relation de phase d'entrée / sortie | 0° | 0° | 180° |
Comme on peut le voir, les différentes configurations ou topologies ont des caractéristiques différentes. La source commune est la configuration de circuit FET la plus largement utilisée et correspond à l'amplificateur à transistor émetteur commun. Le drain commun FET ou le suiveur de source est utilisé comme amplificateur tampon et équivaut à l'amplificateur émetteur commun à transistor.
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